刻蝕就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法，有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。簡單點說就是通過刻蝕技術在薄膜上繪制不同的圖形，得到工藝要求的圖案。在半導體工藝，按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術。

刻蝕技術分為干法刻蝕和濕法刻蝕，濕法刻蝕主要是指化學刻蝕，干法刻蝕主要指等離子刻蝕和激光刻蝕。

濕法化學刻蝕（比如：電化學/電腐蝕打標機）

濕法化學刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發生化學反應進行刻蝕。這種刻蝕方法的優點是適應性強，均勻性較好，適合于大部分材料；缺點是圖形刻蝕保真較差，刻蝕線寬不均勻難以掌控，切刻蝕線寬無法做到精密，因此對于消費電子領域精密度越來越高的要求下，逐漸被淘汰，被激光刻蝕所取代，但他價格相對便宜，適合于大批量生產，在光伏行業中仍然占有一定量的占有率。

干法刻蝕

1.等離子刻蝕

等離子刻蝕是指利用高頻輝光放電反應，將反應氣體激活成活性粒子，如源自或游離基，這些活性粒子擴散到刻蝕的部位，在哪里與被刻蝕材料進行反應，形成揮發性生成物而被去除，達到刻蝕的目的。等離子科室的特點是能像異性刻蝕，能夠保證細小圖形的保真性。缺點是刻蝕的精度不夠，且設備昂貴。

2.激光刻蝕（比如：激光打標機）

激光刻蝕機是利用高能量激光光束照射到被刻蝕工件表面，使其融化、氣化，形成一定深度的凹槽，實現對材料刻蝕的目的。激光刻蝕的特點是刻蝕良品率高、穩定性高，靈活性好，可以實現不同圖形不同角度的一次性成型技術，且無耗材、無污染，成本低。相比較于濕法刻蝕，缺點是刻蝕速度比濕法刻蝕低，無法滿足超大批量的生產。因此在精度要求較低的行業中往往采用濕法刻蝕，在要求精度高的情況下往往都采用激光刻蝕手段。